長鑫打造國產高頻寬記憶體

長鑫打造國產高頻寬記憶體

日經新聞報導,中國大陸DRAM大廠長鑫存儲正加緊努力,要打造出首款國產高頻寬記憶體(HBM),並已嚮應用材料(Applied Materials)和科林研發(Lam Research)等業者訂購設備。中國大陸還沒有本土晶片製造商能生產HBM來加速AI運算。

知情人士說,長鑫存儲已從美國和日本供應商那裡訂購、並且收到了一些適合生產和組裝HBM的製造和測試設備。一位晶片業主管表示,長鑫存儲急於取得尚未受到出口管制的HBM生產設備,即使其HBM技術尚未達到量產程度。

報導指出,去年來,長鑫存儲優先發展垂直堆疊DRAM晶片的技術,以便複製HBM晶片架構。消息人士說,應材和科林研發等一些美國主要設備供應商已取得華府許可,2023年中開始向中國大陸的記憶體制造商提供晶片生產工具。

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長鑫存儲去年底宣佈,已開始生產中國大陸首批LPDDR5記憶體晶片。這使得長鑫存儲在技術方面僅次於美光(Micron)和SK海力士,領先臺灣的南亞科技,後者更專注於專業市場而非大衆消費電子產品業務。

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但長鑫存儲2023年在全球DRAM的市佔率還不到1%,三星、SK 海力士、美光三大巨頭則控制了97%的市場。

根據集邦科技數據,三星和SK海力士主導HBM的生產,2023年市佔率合計逾92%。美光則爲約4%~6%。

Counterpoint半導體分析師指出,大陸的HBM自給自足目標將面臨許多挑戰,「當DRAM技術落後全球對手,你的HBM技術在商業化市場的競爭將居於劣勢。遑論HBM的生產需要複雜的設計和製造技術。這可能是個陡峭的攀爬過程。中國大陸國家隊要打破該領域由國際主導的現況並非易事。其首要目標仍是滿足國內需求」。

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